Хотя, ради объективности, можно заметить, что в предложенном мною варианте с идеальной катушкой, ток через неё будет всё время нарастать.
Не совсем понятно что вы подразумеваете под КПД? Я подразумеваю отношение потребляемой от источника питания мощности к мощности синусоидального тона на нагрузке.
Под КПД Г-звена я подразумеваю отношение мощности на нагрузке, подключённой на выход этого звена, к мощности, потреблённой этим звеном и нагрузкой.
И в то же время он сливает.
Конечно стоит. Входит в ту самую цепь согласования.
Вот про что и разговор - если бы был реальный ключевой режим какой бы ток разряда этого конденсатора был через нулевое сопротивление открывшегося транзистора?
Вот и идёт игра на плавном открывании, которое в реальной жизни и есть, потому и прокатывает обычный П-контур.
А, как только, частота сигнала начинает снижаться, или же, если транзисторы брать получше, то сразу же и возникает проблема либо с огромным током разряда параллельного конденсатора, либо же, с огромным напряжением самоиндукции на стоке.
Чем хуже по частотным свойствам транзистор, тем меньше вероятность его грохнуть.
Кстати, и предложенная мною схема тоже ущербна - я упустил тот момент, что ток в дросселе всё время будет нарастать, я с каждым открытием транзистора, вливаю и вливаю в него энергетику, которая бесполезно в нём крутится, и никуда не сливается, в реальности до бесконечности, конечно же, не дойдёт - потери в дросселе не пустят, но фигня тоже...
