Когда читал про шумовую модель ПТ, узнал, что есть ещё такой фактор, как наведённые потенциалы на затвор от флуктуаций объёмного заряда в канале, коррелирован с шумовым током канала. Но этот эффект зависит от ёмкости на затвор и естественно частоты, поскольку передача через ёмкость. Но у современных транзисторов шумы до очень высоких частот низкие, значит этот эффект сильно уменьшен, да и на низких частотах его влияние малО.