Чушь собачья.
Да какая ж это чушь - вот даташит, где чёрным по белому - Gate Threshold Voltage при токе 1 мА от 0.8 до 1.5 В. При более малых токах (а у Вас АРУ при них и вступает в работу) цифры я указал ранее - там ворота ещё шире.
Положим, что в управляющий диод Вашей АРУ именно этот самый миллиампер и нужно качнуть.
Берём две крайности - транзисторы с барьером 0.8 В, и 1.5 В.
В первом случае, после пропадания сигнала, переключение на быстрый разряд произойдёт через то время, когда на нижней секции напряжение с 0.8 В исходных упадёт до 0.1 В (грубо говоря, 0.7 В падение напряжения на эмиттерном переходе Т1), с Вашими 1 мкФ и 150 кОм, это время составит 0.3 секунды, а во втором, при падении с 1.5 до 0.8 В - 94 мс. - это же считается элементарно - см. переходные процессы в курсе элементарной электротехники.
Разница в три раза. И это повторяемость? Вы реально это время мерили?
Это я ещё не педалирую тот факт, что в обоих случаях времязадающий конденсатор ускоренной цепью разряжается до 0.7 В, а при появлении сигнала, должен зарядиться до 0.8 В в первом случае (дельта 0.1 В), и 1.5 во втором (дельта 0.8 В), т. е., и время срабатывания в этом случае тоже весьма существенно поплывёт.
И, если Вам повезло найти одинаковые транзисторы, то производитель Вашего энтузиазма по поводу повторяемости своих изделий не разделяет.