Разница в 30 С между крышкой транзистора и медной пластиной это много или мало для нормального теплоотвода?
Да что-то маловат перепад температур.
Ведь при даташитовском тепловом сопротивлении кристалл-подложка 0.1 град/Вт, это всего-навсего, 300 Вт на транзисторе, если принять нулевым сопротивление подложка-медная пластина, а, если оно не нулевое, то мощность на кристалле ещё ниже, т. е., КПД Вашего усилителя слишком высок для линейного усиления - не хуже 73%.
Какой уровень интермодуля у Вас получился?
Температура крышки транзистора, если кристалл греется не аномально быстро (а это не Ваш случай - минута - это нормально, тепловая ёмкость крышки довольно мала
), фактически, равна температуре кристалла.
У меня в 700-ваттном усилителе на BLF188, перепад температур повыше - там КПД, как помнится, порядка 60%, стало быть, теоретический перепад температур кристалл-медная пластина (700*40/60)*0.1=47 град. при нулевом тепловом сопротивлении подложка-медная пластина.
По жизни примерно то же число и получается - многократно проводил эксперименты, рассеивая на этих полевиках известную мощность постоянного тока, и при нормальном монтаже, тепловое сопротивление подложка-пластина получалось заметно ниже теплового сопротивления кристалл-подложка - по памяти, сопротивления кристалл-пластина выше 0.12 град/Вт не видел...
