Усилители мощности > Компоненты УМ
Обратные связи в усилителях мощности
Сонгвиник:
Добрый день, господа. Ранее в другой теме пытался поднять вопрос об обратных связях в усилителях мощности. Поскольку это выходило за рамки той темы, Игорь предложил отложить до лучших времен. Вот те времена, как мне кажется, наступили. Я не имею понятия, как влияет та самая обратная связь на АЧХ, как рассчитывать или подбирать элементы обратной связи. Как они зависят от параметров транзистора, типа транзистора или от рабочего диапазона. Величины емкостей и резисторов? Хочется, как всегда, простого, "на пальцах" объяснения. Заранее благодарю за терпение.
Игорь 2:
Вы, очевидно, имеете в виду ООС в транзисторных усилителях мощности КВ диапазона? cr123
Сонгвиник:
Да, о них речь.
Игорь 2:
На пальцах вряд ли получится, где-то в глубине компа были какие-то маткадовские файлы, по которым более-менее можно было что-то прикидывать, но всё это было настолько сложно, и муторно, что мне проще считать по прототипу.
Руками на макете куда быстрее всё подобрать, чем считать нелинейную математику.
А по поводу глубины ООС в оконечных усилителях класса АВ, многократно высказывал свою позицию - вводить её нужно самой минимальной глубины, чтобы более-менее выровнять АЧХ.
Ведь сколько-либо заметно снизить искажения при работе на предельной мощности, ООС не может, а на промежуточных мощностях, при адекватной глубине снижение незначительное. dontt44
А увеличение глубины резко повышает риск словить возбуждение на высоких частотах, к примеру, в том же усилителе на паре КТ956, со снятием сигнала обратной связи через виток симметрирующего транса, довольно часто уже на 30 МГц ООС вырождается в ПОС (отключение витка связи приводит к снижению усиления) даже при глубине на 2 МГц порядка 6 дБ. cr123 Дальнейшее увеличение глубины ООС, если и не приведёт к непосредственному возбуду на нагрузке 50 Ом, то сделает это весьма вероятным на частотозависимой нагрузке, которая обычно и бывает у УМ. dontt44
Сонгвиник:
Часто на схеме в качестве элементов обратной связи используются последовательно соединенные резистор и конденсатор. Эта цепь включается между затвором ( базой ) и стоком ( коллектором ) транзистора. Как выбрать эти элементы, чтобы не навредить, но и получить приемлемую неравномерность? Хотя бы с точностью "плюс-минус лапоть"? И как руками на макете подбирать эти элементы?
Навигация
Перейти к полной версии